Serie M-LAS Barreras fotoeléctricas/frontends
Barreras fotoeléctricas miniatura láserDatos técnicos generales ....
DATOS TÉCNICOS GENERALES:
Consumo de energía
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<5mA
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Fuente luminosa
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M-LAS-10-RFX-IR:
Láser semiconductor, 850 nm, <0,39mW potencia ópt., funcionamiento con CC, clase de láser 1 según DIN EN 60825-1:2015-07 (IEC 60825-1:2014) M-LAS-10-RFX-VIS: Láser semiconductor, 650 nm (rayo láser rojo visible), <1mW potencia ópt., funcionamiento con CC, clase de láser 2 según DIN EN 60825-1:2015-07 (IEC 60825-1:2014) |
Distancia de trabajo
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dependiente del modelo de sensor
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Óptica
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M-LAS-10-RFX-IR:
colimada M-LAS-10-RFX-VIS: focalizada a 100mm |
Magnitud de spot láser
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M-LAS-10-RFX-IR:
Diámetro del rayo del transmisor en la salida de la carcasa modelo 0,7mm Diámetro del rayo del transmisor en distancia de 20mm: modelo 0,5mm Diámetro del rayo del transmisor en distancia de 800mm: modelo 2,8mm M-LAS-10-RFX-VIS: Diámetro del rayo del transmisor en la salida de la carcasa modelo 1mm Diámetro del rayo del transmisor en distancia de 100mm: modelo 0,3mm Diámetro del rayo del transmisor en distancia de 800mm: modelo 5mm |
Objeto detectable mín.
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dependiente del modelo de sensor
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Reproducibilidad
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dependiente del modelo de sensor
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Resolución
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dependiente del modelo de sensor
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Filtro óptico
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M-LAS-10-RFX-IR:
Filtro supresor de luz diurna M-LAS-10-RFX-VIS: Filtro de luz roja |
Luz ambiental
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hasta 5000 Lux
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Modo de funcionamiento
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Funcionamiento luz alternante, 20kHz y/o 100kHz (dependiente de la electrónica de control utilizada)
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Medidas de la carcasa
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dependiente del modelo de sensor
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Material de la carcasa
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Aluminio, anodizado en color negro
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Modelo de enchufe
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enchufe conector 8 pol. 712
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Cable de conexión
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Margen de temperaturas de funcionamiento
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-20°C ... +55°C
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Margen de temperaturas de almacenamiento
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-20°C ... +90°C
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Tipo de protección
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IP67
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Verificación CEM según
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DIN EN 60947-5-2
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